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    罗姆碳化硅芯片助力丰田bZ5续航提升

      [  中关村在线 原创  ]   作者:林有三

    罗姆碳化硅芯片助力丰田bZ5续航提升

    日前,日本半导体企业罗姆在其发布的新闻稿中透露,其第四代碳化硅(SiC)MOSFET裸芯片已成功应用于丰田面向中国市场的全新纯电动跨界SUV车型bZ5的牵引逆变器之中。

    该车型的牵引逆变器配备了由罗姆与中方合作伙伴正海集团合资成立的上海海姆希科半导体有限公司所生产的功率模块。这一模块以罗姆的SiC MOSFET为核心,为bZ5在续航能力与整体性能方面提供了有力支持。

    据悉,这款SUV低配版的续航里程为550公里,高配版则提升至630公里。车辆采用前轮驱动布局,电机最大输出功率为200千瓦,目前该车型已开始逐步交付用户。

    罗姆方面表示,正在加快碳化硅功率器件的研发进度,计划于今年内完成下一代(第五代)SiC MOSFET产线的建设,并已着手规划第六代与第七代产品的市场布局。

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